型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 800V 20A TO-24716141+￥154.607210+￥150.573950+￥147.4818100+￥146.4062200+￥145.5996500+￥144.52411000+￥143.85192000+￥143.1797 -
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品类: MOS管描述: TO-247 N-CH 500V 26A55981+￥101.572610+￥97.1564100+￥96.3615250+￥95.7432500+￥94.77171000+￥94.33002500+￥93.71185000+￥93.1818 -
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品类: 肖特基二极管描述: Diode Schottky 45V 40A 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube79475+￥22.021750+￥21.0806200+￥20.5536500+￥20.42191000+￥20.29012500+￥20.13955000+￥20.04547500+￥19.9513 -
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品类: 肖特基二极管描述: STMICROELECTRONICS STPSC40065CWY 新24451+￥82.744810+￥79.1472100+￥78.4996250+￥77.9960500+￥77.20451000+￥76.84472500+￥76.34115000+￥75.9094 -
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品类: 二极管阵列描述: 肖特基整流器， 2× 15 A Schottky Rectifier, 2 x 15 A264610+￥9.3396100+￥8.8726500+￥8.56131000+￥8.54572000+￥8.48355000+￥8.40567500+￥8.343410000+￥8.3122 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。 ### 特点 低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor85241+￥50.597110+￥47.6940100+￥45.5374250+￥45.2056500+￥44.87381000+￥44.50052500+￥44.16875000+￥43.9614 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。 ### 特点 低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor860010+￥7.8828100+￥7.4887500+￥7.22591000+￥7.21282000+￥7.16025000+￥7.09457500+￥7.042010000+￥7.0157 -
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品类: IGBT晶体管描述: 沟槽场截止 416W 600V 80A52555+￥34.642550+￥33.1621200+￥32.3330500+￥32.12581000+￥31.91852500+￥31.68165000+￥31.53367500+￥31.3855 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道，Vce=600V，Ic=60A，Vce(on)=1.32V659510+￥11.4312100+￥10.8596500+￥10.47861000+￥10.45952000+￥10.38335000+￥10.28817500+￥10.211910000+￥10.1738 -
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品类: 肖特基二极管描述: 整流器二极管，10A 至 80A，Fairchild Semiconductor ### 二极管和整流器，Fairchild Semiconductor 无论您是进行新设计、还是采购，Fairchild 都可为您提供行业标准二极管和整流器、小信号二极管、Schottky 和 Zener 二极管。 部件提供最佳质量、功能和封装选项组合。23985+￥19.590550+￥18.7533200+￥18.2844500+￥18.16721000+￥18.05002500+￥17.91615000+￥17.83247500+￥17.7486 -
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品类: 肖特基二极管描述: ON Semiconductor 二极管 RURG8060_F085, Io=80A, Vrev=600V, 90ns, 2引脚 TO-247封装75695+￥20.382650+￥19.5115200+￥19.0237500+￥18.90181000+￥18.77982500+￥18.64055000+￥18.55347500+￥18.4663 -
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品类: 肖特基二极管描述: 整流器二极管，10A 至 80A，Fairchild Semiconductor ### 二极管和整流器，Fairchild Semiconductor 无论您是进行新设计、还是采购，Fairchild 都可为您提供行业标准二极管和整流器、小信号二极管、Schottky 和 Zener 二极管。 部件提供最佳质量、功能和封装选项组合。41225+￥29.134250+￥27.8891200+￥27.1919500+￥27.01761000+￥26.84332500+￥26.64415000+￥26.51967500+￥26.3951 -
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品类: 肖特基二极管描述: ON Semiconductor 二极管 RURG5060_F085, Io=50A, Vrev=600V, 90ns, 2引脚 TO-247封装65145+￥20.877550+￥19.9853200+￥19.4856500+￥19.36071000+￥19.23582500+￥19.09315000+￥19.00397500+￥18.9146 -
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品类: MOS管描述: N-CH 600V 20A31035+￥15.335250+￥14.6798200+￥14.3128500+￥14.22111000+￥14.12932500+￥14.02455000+￥13.95907500+￥13.8934 -
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品类: MOS管描述: MOS Power Transistors HV (>= 200V)69491+￥38.460510+￥36.2538100+￥34.6145250+￥34.3623500+￥34.11011000+￥33.82632500+￥33.57415000+￥33.4165 -
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品类: MOS管描述: N-channel 600V, 0.047Ω typ., 50A MDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-247 package3737 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MOSFET，TKxxxx，Toshiba ### MOSFET 晶体管，Toshiba489010+￥8.6400100+￥8.2080500+￥7.92001000+￥7.90562000+￥7.84805000+￥7.77607500+￥7.718410000+￥7.6896 -
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品类: MOS管描述: Power MOSFETs, Nch TKxxxx, Toshiba ### MOSFET 晶体管，Toshiba12745+￥13.864550+￥13.2720200+￥12.9402500+￥12.85731000+￥12.77432500+￥12.67955000+￥12.62037500+￥12.5610 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MOSFET，TKxxxx，Toshiba ### MOSFET 晶体管，Toshiba17695+￥32.344750+￥30.9624200+￥30.1883500+￥29.99481000+￥29.80132500+￥29.58025000+￥29.44197500+￥29.3037 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MOSFET，TKxxxx，Toshiba ### MOSFET 晶体管，Toshiba66855+￥27.898750+￥26.7064200+￥26.0387500+￥25.87181000+￥25.70492500+￥25.51425000+￥25.39497500+￥25.2757 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MOSFET，TKxxxx，Toshiba ### MOSFET 晶体管，Toshiba19385+￥26.700650+￥25.5595200+￥24.9205500+￥24.76081000+￥24.60102500+￥24.41855000+￥24.30447500+￥24.1903 -
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品类: IGBT晶体管描述: 绝缘栅双极晶体管与反并联二极管 Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode34435+￥21.506950+￥20.5878200+￥20.0731500+￥19.94451000+￥19.81582500+￥19.66875000+￥19.57687500+￥19.4849 -
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品类: 功率二极管描述: 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.420 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.420 V at IF = 5 A7768 -
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品类: 肖特基二极管描述: Diode, Ultrafast, 400V 30A, TO-247AC76875+￥11.790150+￥11.2862200+￥11.0041500+￥10.93351000+￥10.86302500+￥10.78245000+￥10.73207500+￥10.6816 -
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品类: SCR晶闸管描述: 相位控制闸流晶体管，Vishay Semiconductor ### 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。131410+￥9.4680100+￥8.9946500+￥8.67901000+￥8.66322000+￥8.60015000+￥8.52127500+￥8.458110000+￥8.4265
